基于CMOS工艺的低压差线性稳压器研究.rar

近年来，随着集成电路技术和电源管理技术的发展，低压差线性稳压器（LDO）受到了普遍的关注，被广泛应用于便携式电子产品如PDA、MP3播放器、数码相机、无线电话与通信设备、医疗设备和测试仪器等中，但国内研究起步晚，市场大部分被国外产品占有，因此，开展本课题的研究具有特别重要的意义。 首先，简单阐述了课题研究的背景及意义，分析了低压差线性稳压器（LDO）研究的现状和发展趋势，并提出了设计的预期技术指标。 其次，详细分析了LDO线性稳压器的理论基础，包括其结构、各功能模块的作用、系统工作原理、性能指标定义及设计时对性能指标之间相互矛盾的折衷考虑。 再次，设计了基于自偏置电流源的带隙基准电压源，选取PMOS管作为系统的调整元件并计算出了其尺寸，设计了基于CMOS工艺的两级误差运算放大器。利用HSPICE工具仿真了基准电压源和误差运算放大器的相关性能参数。 然后，重点分析了稳压器的稳定性特征，指出系统存在的潜在不稳定性，详细论述了稳定性补偿的必要性，比较了业界使用过的几种稳定性补偿方法的不足之处，提出了一种基于电容反馈VCCS的补偿方法，对系统进行了稳定性的补偿； 最后，将所设计的模块进行联合，设计了一款基于CMOS工艺的LDO线性稳压器电路，利用HSPICE工具验证了其压差电压、静态电流、线性调整率等性能指标，仿真结果验证了理论分析的正确性、设计方法的可行性。