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ESD_Technology

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  • 上传时间:2023-08-19
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资 源 简 介

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程 的演進,元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些 可靠度的問題。

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