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一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计

资 源 简 介

摘要:采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC0.18Um CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益,电源抑制比达到-100dB,电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV,是一种有效的基准电压实现方法.关键词:带隙基准电压源;电源抑制比;温度系数

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