首页| JavaScript| HTML/CSS| Matlab| PHP| Python| Java| C/C++/VC++| C#| ASP| 其他|
购买积分 购买会员 激活码充值

您现在的位置是:虫虫源码 > C/C++/VC++ > 功率器件超结和Si限公式

功率器件超结和Si限公式

  • 资源大小:36.38 kB
  • 上传时间:2021-06-29
  • 下载次数:0次
  • 浏览次数:1次
  • 资源积分:1积分
  • 标      签: c++ SI 公式 功率 器件

资 源 简 介

在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有着比普通MOSFET低得多的Rdson而得到普及。然而,普通sJ器件的一个缺点就是它的体二极管的反向恢复特性较差。早期的sJ器件有着较大的反向恢复电流,并且在某些反向恢复的情况下易于失效。尽管后来它的体二极管特性有了一定改善,但还是不能像传统MOSFET的体二极管那样耐用。我们示出即使施加缓和上升的di/dt,普通SJ器件的体二极管也还会失效。

文 件 列 表

Super-Junction
Si limi.fig
Si_limit.m
Si_vs_SJ.fig
Si_vs_SJ.m
Si_vs_SJ2.fig
Si_vs_SJ2_form.fig

相 关 资 源

您 可 能 感 兴 趣 的

同 类 别 推 荐

VIP VIP
0.213326s