资 源 简 介
通用的多电源总线,如VME、VXI 和PCI 总线,都可提供功率有限的3.3V、5V 和±12V(或±24V)电源,如果在这些系统中添加设备(如插卡等),则需要额外的3.3V或5V电源,这个电源通常由负载较轻的-12V电源提供。图1 电路,将-12V 电压升压到15.3V(相对于-12V 电压),进而得到3.3V 的电源电压,输出电流可达300mA。Q2 将3.3V 电压转换成适当的电压(-10.75V)反馈给IC1 的FB 引脚,PWM 升压控制器可提供1W 的输出功率,转换效率为83%。整个电路大约占6.25Cm2的线路板尺寸,适用于依靠台式PC机电源供电,需要提供1W输出功率的应用,这种应用中,由于-12V总线电压限制在1.2W以内,因此需要保证高于83%的转换效率。由于限流电阻(RSENSE)将峰值电流限制在120mA,N 沟道MOSFET(Q1)可选用廉价的逻辑电平驱动型场效应管,R1、R2 设置输出电压(3.3V 或5V)。IC1 平衡端(Pin5)的反馈电压高于PGND引脚(Pin7)1.25V,因此:VFB = -12V + 1.25V = - 10.75V选择电阻R1后,可确定:I2 = 1.25V / R1 = 1.25V / 12.1kΩ = 103μA可由下式确定R2:R2 = (VOUT - VBE)/ I2 =(3.3V - 0.7V)/ 103μA = 25.2 kΩ图1 中,IC1 的开关频率允许通过外部电阻设置,频率范围为100kHz 至500kHz,有利于RF、数据采集模块等产品的设计。当选择较高的开关频率时,能够保证较高的转换效率,并可选用较小的电感和电容。为避免电流倒流,可在电路中增加一个与R1串联的二极管。