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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

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  • 上传时间:2023-07-24
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  • 标      签: LDMOS 射频集成电路 击穿

资 源 简 介

提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

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